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Samsung 990 EVO. SDD, capacidad: 1 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 5000 MB/s, Velocidad de escritura: 4200 MB/s, Componente para: Universal
Ref. Fabricante: MZ-V9E1T0BW Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES Altura: 2,38 mm Ancho: 80,2 mm calificación TBW: 600 Carriles datos de interfaz PCI Express: x4 Componente para: Universal Consumo de energía (escritura): 4,5 W Consumo de energía (espera): 0,06 W Consumo de energía (lectura): 4,9 W Consumo energético (en suspensión): 0,005 W Encriptación de hardware: Si Factor de forma de disco SSD: M.2 Golpe (fuera de operación): 1500 G Interfaz: PCI Express 4.0 Intervalo de humedad relativa durante almacenaje: 5 - 95% Intervalo de humedad relativa para funcionamiento: 5 - 95% Intervalo de temperatura de almacenaje: -40 - 85 °C Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C NVMe: Si Periodo de garantía: 5 año(s) Peso: 9 g Profundidad: 22,1 mm Revisión PCI Express CEM: 4.0 SDD, capacidad: 1 TB Soporte S.M.A.R.T.: Si Soporte TRIM: Si Tamaño de la unidad SSD M.2: 2280 (22 x 80 mm) Tiempo medio entre fallos: 1500000 h Tipo de embalaje: Caja Tipo de memoria: V-NAND TLC Velocidad de escritura: 4200 MB/s Velocidad de lectura: 5000 MB/s Versión NVMe: 2.0 Vibración no operativa: 20 G Voltaje de operación: 3,3 V
